TOF-SIMS介绍
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飞行时间-二次离子质谱仪(TOF-SIMS）是一种基于质谱的表面分析技术。高能一次离子束（如Ga+，Bi3+， Arn+，Cs+等）轰击样品表面，在轰击区域产生包含样品表面成分信息的带电离子（碎片），这些带电离子经过质量分析后得到样品表面信息。TOF-SIMS因其高灵敏度和高质量分辨率等特性，广泛应用于半导体行业的掺杂与杂质的分析，电子行业的痕量污染物分析，生物制药行业等。
高能一次离子轰击样品表面产生的二次离子被提取到无场漂移管，沿既定飞行路径到达检测器。由于给定离子的速度与其质量成反比，因此不同质量的 离子的飞行时间不同。质量越轻，到达检测器的时间越早。通过监测进入检测器的离子的飞行时间可以得到样品表面的质谱。
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TOF-SIMS仪器介绍
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 | 仪器能力 获得的信息：元素(H~U)， 同位素、 分子结构、 化学键接 采集深度：1-10Å 空间分辨率：0.07 µm 成分检出限：~1ppm 深度剖析功能：具备 定量能力：需要标准品
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TOF-SIMS应用范围
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同位素分析
轻元素分析
痕量物质的分析（ppb-ppm)
表面超薄有机污染物分析
深度剖析：超薄多层薄膜结构分析（膜层厚度nm)，特别是有机薄膜。
表面有机涂层分析（纳米级）
原位分析
TOF-SIMS应用实例
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3D应用
TOF-SIMS来样要求
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磁性材料不可分析
样品导电性：无论是导体, 半导体还是绝缘样品，都可以分析
样品形态：可对固体、液体样品进行分析，但不能对其中的挥发性成分进行分析
样品尺寸：常规样品：长/宽<1cm，厚度<1cm；特殊样品：长/宽<9cm，厚度<1cm
样品包装注意事项：样品用干净材料包装，尽量避免接触测试面，存放于温湿度适宜条件下，有条件最好真空包装
样品制备注意事项：需测试样品表面成分的，请不要对样品进行擦拭、触摸等，避免污染测试面；
测试本体成分的，可以对样品进行破开，露出新鲜断面
使用导电胶进行样品制备时，要及时进行分析
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